RGT8NS65DGTL_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-Rohm Semiconductor

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原廠料號:RGT8NS65DGTL品牌:Rohm Semiconductor

資料說明:IGBT 650V 8A 65W TO-263S

RGT8NS65DGTL是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Rohm Semiconductor生產(chǎn)封裝TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB的RGT8NS65DGTL晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號:

    rgt8ns65dgtl

  • 規(guī)格書:

    原廠下載 下載

  • 資料說明:

    IGBT 650V 8A 65W TO-263S

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    RGT8NS65DGTL

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,4A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    17ns/69ns

  • 測試條件:

    400V,4A,50歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    LPDS

  • 描述:

    IGBT 650V 8A 65W TO-263S

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Rohm Semiconductor
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TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片
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