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RGT8NS65DGTL_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-Rohm Semiconductor

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原廠料號(hào)：RGT8NS65DGTL品牌：Rohm Semiconductor

資料說(shuō)明：IGBT 650V 8A 65W TO-263S

RGT8NS65DGTL是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Rohm Semiconductor生產(chǎn)封裝TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB的RGT8NS65DGTL晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    rgt8ns65dgtl

  • 規(guī)格書：

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  • 資料說(shuō)明：

    IGBT 650V 8A 65W TO-263S

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    RGT8NS65DGTL

  • 制造商：

    Rohm Semiconductor

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，4A

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    17ns/69ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，4A，50歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    LPDS

  • 描述：

    IGBT 650V 8A 65W TO-263S

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Rohm Semiconductor
24+
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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Rohm
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