首頁>AFT09S282N>規(guī)格書詳情

AFT09S282N分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

AFT09S282N
廠商型號

AFT09S282N

參數(shù)屬性

AFT09S282N 封裝/外殼為OM-780-2;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 70V 960MHZ OM-780-2

功能描述

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

封裝外殼

OM-780-2

文件大小

530.5 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-22 13:58:00

AFT09S282N規(guī)格書詳情

This 80 watt RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 720 to 960 MHz.

? Typical Single--Carrier W--CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 1400 mA, Pout = 80 Watts Avg., Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01 Probability on CCDF

Features

? Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C Operation

? Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems

? Optimized for Doherty Applications

? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units, 32 mm Tape Width, 13 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    AFT09S282NR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    960MHz

  • 增益:

    20dB

  • 功率 - 輸出:

    80W

  • 封裝/外殼:

    OM-780-2

  • 供應商器件封裝:

    OM-780-2

  • 描述:

    FET RF 70V 960MHZ OM-780-2

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FREESCALE
23+
TO-59
8510
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢
詢價
NXP
589220
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
詢價
Freescale
16+
5000
全新進口原裝
詢價
NXP
22+
OM-780-2
25000
原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)惠,假一罰十
詢價
TI
2022+
TSSOP16
6000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
詢價
NXP
23+
OM-780-2
10000
原裝正品現(xiàn)貨
詢價
FSL
24+
586
現(xiàn)貨供應
詢價
FREESCALE
21+
NA
645
航宇科工半導體-央企合格優(yōu)秀供方!
詢價
FREESCAL
23+
SMD
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價
NXP/
24+
OM
5000
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售
詢價