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AFT09S282N

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

This80wattRFpowerLDMOStransistorisdesignedforcellularbasestationapplicationscoveringthefrequencyrangeof720to960MHz. ?TypicalSingle--CarrierW--CDMAPerformance:VDD=28Volts,IDQ=1400mA,Pout=80WattsAvg.,InputSignalPAR=7.5dB@0.01ProbabilityonCCDF Featu

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

AFT09S282NR3

RF Power LDMOS Transistor

This80wattRFpowerLDMOStransistorisdesignedforcellularbasestationapplicationscoveringthefrequencyrangeof720to960MHz. ?TypicalSingle--CarrierW--CDMAPerformance:VDD=28Volts,IDQ=1400mA,Pout=80WattsAvg.,InputSignalPAR=7.5dB@0.01ProbabilityonCCDF Featu

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

AFT09S282NR3

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

This80wattRFpowerLDMOStransistorisdesignedforcellularbasestationapplicationscoveringthefrequencyrangeof720to960MHz. ?TypicalSingle--CarrierW--CDMAPerformance:VDD=28Volts,IDQ=1400mA,Pout=80WattsAvg.,InputSignalPAR=7.5dB@0.01ProbabilityonCCDF Featu

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

AFT09S282NR3

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：OM-780-2 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 70V 960MHZ OM-780-2

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    AFT09S282N

  • 功能描述：

    射頻MOSFET電源晶體管 HV9 900MHZ 80W OM780-2

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Freescale Semiconductor

  • 配置：

    Single

  • 頻率：

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益：

    27 dB

  • 輸出功率：

    100 W

  • 封裝/箱體：

    NI-780-4

  • 封裝：

    Tray

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FSL
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現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價
FREESCALE
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TO-59
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原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢
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23+
5000
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳
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Freescale
23+
原廠原封□□□
19464
原廠授權(quán)代理分銷現(xiàn)貨只做原裝正邁科技樣品支持現(xiàn)貨
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Freescale
2021+
6600
只做原裝假一罰十
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全新進口原裝
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全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢
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OM-780-2
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FREESCAL
23+
SMD
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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更多AFT09S282N供應(yīng)商 更新時間2024-11-8 18:12:00

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