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AFT21H350W04GSR6 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 NXP/恩智浦
- 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào):AFT21H350W04GSR6品牌:NXP USA Inc.
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AFT21H350W04GSR6是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。制造商N(yùn)XP USA Inc.生產(chǎn)封裝NI-1230S-4 GW的AFT21H350W04GSR6晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
AFT21H350W04GSR6
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 類別:
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
2.11GHz
- 增益:
16.4dB
- 功率 - 輸出:
63W
- 封裝/外殼:
NI-1230S-4 GW
- 供應(yīng)商器件封裝:
NI-1230S-4 GULL
- 描述:
FET RF 2CH 65V 2.11GHZ
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市宏捷佳電子科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
許小姐
- 手機(jī):
13530520535
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-83201583/83214703
- 傳真:
0755-22669259
- 地址:
福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室
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