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AFT21S140W02GSR3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

AFT21S140W02GSR3
廠商型號

AFT21S140W02GSR3

參數(shù)屬性

AFT21S140W02GSR3 封裝/外殼為NI-780GS-2L;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S-2

功能描述

RF Power LDMOS Transistors
FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S-2

文件大小

492.66 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊到原廠下載

更新時間

2024-11-8 18:38:00

AFT21S140W02GSR3規(guī)格書詳情

AFT21S140W02GSR3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。恩智浦半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的AFT21S140W02GSR3晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    AFT21S140W02GSR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.14GHz

  • 增益:

    19.3dB

  • 功率 - 輸出:

    32W

  • 封裝/外殼:

    NI-780GS-2L

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-780GS-2L

  • 描述:

    FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S-2

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