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AFT21S232SR3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

AFT21S232SR3
廠商型號(hào)

AFT21S232SR3

參數(shù)屬性

AFT21S232SR3 封裝/外殼為NI-780S;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-2

功能描述

RF Power LDMOS Transistors
FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-2

文件大小

543.07 Kbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊(cè)到原廠下載

更新時(shí)間

2024-11-8 20:21:00

AFT21S232SR3規(guī)格書詳情

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

These 50 W RF power LDMOS transistors are designed for cellular

base station applications covering the frequency range of 2110 to 2170 MHz.

? Typical Single--Carrier W--CDMA Performance: VDD = 28 Vdc, IDQ = 1500 mA,

Pout = 50 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01 Probability on CCDF.

Features

? Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C Operation

? Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems

? Optimized for Doherty Applications

? NI--780S--2L2L, NI--780S--2L4S: R3 Suffix = 250 Units, 44 mm Tape Width,

13--inch Reel.

? NI--780S--2L: R3 Suffix = 250 Units, 56 mm Tape Width, 13--inch Reel.

For R5 Tape and Reel options, see p. 17.

AFT21S232SR3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。恩智浦半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的AFT21S232SR3晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    AFT21S232SR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.11GHz

  • 增益:

    16.7dB

  • 功率 - 輸出:

    50W

  • 封裝/外殼:

    NI-780S

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-780S

  • 描述:

    FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-2

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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