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AM3407	文件：698.83 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETP-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET DESCRIPTION TheAM3407usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. TheAM3407isavailableinSOT-23package. FEATURES ?VDS=-30V,ID=	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
AM3407A	文件：563.87 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET-30VP-CHANNELENHANCEMENTMODE DESCRIPTION VDS=-30V VGS=±20V ID(A)=-4.3A RDS(ON)=38mΩ(Typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=58mΩ(Typ.)@VGS=-4.5V TheAM3407AisavailableinSOT-23package. FEATURES ?AvailableinSOT-23package APPLICATION ?PortableEquipment ?PowerManagement ?LoadSwitch	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
AM3407PE	文件：525.02 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AN3407	文件：3.28103 Mbytes Page：25 Pages	ResonantdriverforLEDSMPSdemonstrationboard	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
AO3407	文件：297.24 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO3407usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. Features VDS(V)=-30V ID=-4.1A RDS(ON)	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AO3407	文件：1.99218 Mbytes Page：3 Pages	30VP-ChannelEnhancementModeMOSFET 30VP-ChannelEnhancementModeMOSFET VDS=-30V RDS(ON),Vgs@-10V,Ids@4.1A	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金譽(yù)半導(dǎo)體深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司	HTSEMI
AO3407	文件：453.5 Kbytes Page：5 Pages	30VP-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AO3407	文件：1.56996 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementMOSFET Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-4.1A ●RDS(ON)52m(VGS=-10V) ●RDS(ON)87m(VGS=-4.5V)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
AO3407	文件：705.6 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO3407usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. Features VDS(V)=-30V ID=-4.1A RDS(ON)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
AO3407	文件：390.37 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMosfets P-ChannelMOSFET FEATURES ?TheAO3407usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON)andlowgatecharge.Thisdeviceis suitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司	HOTTECH
AO3407	文件：968.43 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELMOSFETinaSOT-23PlasticPackage Descriptions P-CHANNELMOSFETinaSOT-23PlasticPackage. Features VDS(V)=-30V ID=-4.1A RDS(ON)	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
AO3407	文件：1.04744 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested APPLICATIONS ?ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
AO3407	文件：1.89348 Mbytes Page：3 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET ProductSummary VDs=-30V,ID=-4.1A RDS(ON)	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
AO3407A	文件：115.43 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO3407A/LusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.AO3407AandAO3407ALareelectricallyidentical. -RoHSCompliant -AO3407ALisHalogenFree Features	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AO3407A	文件：489.85 Kbytes Page：5 Pages	30VP-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AO3407A	文件：2.32286 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-4.3A(VGS=-10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
AO3407A	文件：1.77435 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementMOSFET Features VDS(V)=-30V ID=-4.2A RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
AO3407A	文件：1.98688 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementMOSFET Features VDS(V)=-30V ID=-4.1A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
AO3407A-HF	文件：2.5151 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-4.3A(VGS=-10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
AO3407-HF	文件：1.5455 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFET Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-4.1A ●RDS(ON)52m(VGS=-10V) ●RDS(ON)87m(VGS=-4.5V) ●Pb?FreePackageMaybeAvailable.TheG?SuffixDenotesa Pb?FreeLeadFinish	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN

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深圳市錦喆鴻電子有限公司	AGM3407E	AGM	23+	SOT23-3L	3000	現(xiàn)貨庫存,實(shí)單請給接受價(jià)格	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	AGM3407E	AGM	23+	SOT23-3L	20000	原裝正品價(jià)格優(yōu)惠,志同道合共謀發(fā)展	詢價(jià)
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更多AGM3407E供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-1 15:48:00

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