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AIGB40N65F5分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
AIGB40N65F5 |
參數(shù)屬性 | AIGB40N65F5 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:DISCRETE SWITCHES |
功能描述 | High speed FAST IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology |
絲印標(biāo)識(shí) | |
封裝外殼 | PG-TO263-3 / TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB |
文件大小 |
1.45739 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
14 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-3-30 15:00:00 |
人工找貨 | AIGB40N65F5價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
AIGB40N65F5規(guī)格書詳情
AIGB40N65F5屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的AIGB40N65F5晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
Features and Benefits:
High speed F5 technology offering:
? Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant
topologies
? 650V breakdown voltage
? Low gate charge QG
? Maximum junction temperature 175°C
? Dynamically stress tested
? Qualified according to AEC-Q101
? Green package (RoHS compliant)
? Complete product spectrum and PSpice Models:
http://www.infineon.com/igbt/
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
AIGB40N65F5ATMA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
NPT
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝:
PG-TO263-3-2
- 描述:
DISCRETE SWITCHES
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飛凌) |
2447 |
PG-TO263-3-2 |
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INFINEON |
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Infineon |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
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