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AM8205	文件：886.85 Kbytes Page：11 Pages	MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET FEATURES ?TSSOP8 VDS=20V,ID=6.2A RDS(ON)=21mΩ(Typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=22mΩ(Typ.)@VGS=4.0V RDS(ON)=23mΩ(Typ.)@VGS=3.2V RDS(ON)=25mΩ(Typ.)@VGS=2.5V ?SOT-26 VDS=20V,ID=6A RDS(ON)=22mΩ(Typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=25mΩ(Typ.)@VGS=2.5V ?Fastswitch ?Highpowerandcurr	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
AM8205TMX8R	文件：963.82 Kbytes Page：8 Pages	Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
AM8205TMX8VR	文件：963.83 Kbytes Page：8 Pages	Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
AMS8205A	文件：780.31 Kbytes Page：7 Pages	SuperhighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON)	AMS Advanced Monolithic Systems	AMS
AOZ8205	文件：358.32 Kbytes Page：7 Pages	Five-lineTVSDiodeArray GeneralDescription TheAOZ8205isatransientvoltagesuppressordiodearraydesignedtoprotectdatalinesfromhightransientconditionsandESD.Thisstate-of-the-artdeviceutilizesAOSleadingedgeTrenchVerticalStructure[TVS]2?technologyforsuperiorclampingperformance. Features ●	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AOZ8205DI	文件：307.76 Kbytes Page：7 Pages	Five-lineTVSDiodeArray GeneralDescription TheAOZ8205isatransientvoltagesuppressor(TVS)diodearraydesignedtoprotectdatalinesfromhightransientconditionsandESD.Thisstate-of-the-artdeviceutilizesAOSleadingedgeTrenchVerticalStructure[TVS]2?technologyforsuperiorclampingperformance. This	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
ATA8205	文件：850.09 Kbytes Page：46 Pages	IndustrialUHFASK/FSKReceiver	AtmelAtmel Corporation 愛特梅爾愛特梅爾公司	Atmel
BA8205	文件：290.5 Kbytes Page：4 Pages	ToneRinger ToneRinger ThisICisatoneringerforgeneratingbellsoundfromcallsignal. Features 1)Absolutemaximumsupplyvoltage40V 2)Highoutputlevel 3)PincompatiblewithBa6565A,ML8205 Applications Telephone,ITS,TAM,FAX,etc.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
BA8205F	文件：290.5 Kbytes Page：4 Pages	ToneRinger ToneRinger ThisICisatoneringerforgeneratingbellsoundfromcallsignal. Features 1)Absolutemaximumsupplyvoltage40V 2)Highoutputlevel 3)PincompatiblewithBa6565A,ML8205 Applications Telephone,ITS,TAM,FAX,etc.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
BD8205EFV-M	文件：1.92542 Mbytes Page：23 Pages	5chSystemMotorDriverforCarAV	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
BLM8205	文件：342.34 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海貝嶺上海貝嶺股份有限公司	Belling
BLM8205A	文件：602.62 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海貝嶺上海貝嶺股份有限公司	Belling
BLM8205B	文件：898.02 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海貝嶺上海貝嶺股份有限公司	Belling
BR8205	文件：1.41893 Mbytes Page：6 Pages	N-channelDoubleMOSFETinaSOT23-6PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
CEG8205	文件：123.43 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■20V,4.5A,RDS(ON)=30m?@VGS=4.5V. RDS(ON)=40m?@VGS=2.5V. ■SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TSSOP-8forSurfaceMountPackage.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEG8205	文件：939.86 Kbytes Page：8 Pages	DualN-Channel25-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeOptionAvailable ?TrenchFET?PowerMOSFETs	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
CEG8205A	文件：123.47 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■20V,6A,RDS(ON)=21m?(typ)@VGS=4.5V. RDS(ON)=30m?(typ)@VGS=2.5V. ■SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TSSOP-8forSurfaceMountPackage.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEG8205A	文件：653.37 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 20V,6A,RDS(ON)=25mW@VGS=4.5V. RDS(ON)=35mW@VGS=2.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TSSOP-8forSurfaceMountPackage. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEH8205	文件：664.05 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 20V,5.2A,RDS(ON)TYP=25mW@VGS=4.5V. RDS(ON)TYP=30mW@VGS=2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. TSOP-6package. Leadfreeproductisacquired. Halogenfree.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CJL8205	文件：709.13 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU

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深圳市拓億芯電子有限公司	AM8205	AM	23+	TSSOP8	15000	全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢	詢價(jià)
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深圳市智創(chuàng)誠芯電子科技有限公司	AM8205	AM	22+	TSSOP8	25000	原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)惠,假一罰十	詢價(jià)
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更多AM8205供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-23 16:51:00

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