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AM9N65P	文件：1.1056 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AM9N65P	文件：1.80029 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導體有限公司	DOINGTER
AM9N65P	文件：330.71 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel 650-V (D-S) MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
DMG9N65CT	文件：233.29 Kbytes Page：6 Pages	LowInputCapacitance	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMG9N65CT	文件：305.35 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
DMG9N65CTI	文件：296.33 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
DMG9N65CTI	文件：438.34 Kbytes Page：5 Pages	LowInputCapacitance	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FIR9N65LG	文件：1.42745 Mbytes Page：6 Pages	AdvancedN-ChPowerMOSFET-S	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導體深圳市福斯特半導體有限公司	FOSTER
IRFB9N65	文件：102.48 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=650V,Rds(on)max=0.93ohm,Id=8.5A) HEXFET?PowerMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●UninterruptiblePowerSupply ●	IRF International Rectifier	IRF
IRFB9N65A	文件：180.51 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFB9N65A	文件：102.48 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=650V,Rds(on)max=0.93ohm,Id=8.5A) HEXFET?PowerMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●UninterruptiblePowerSupply ●	IRF International Rectifier	IRF
IRFB9N65A	文件：158.11 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFB9N65A	文件：329.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFB9N65APBF	文件：180.51 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFB9N65APBF	文件：158.11 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFB9N65APBF	文件：129.94 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET HEXFET?PowerMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●UninterruptiblePowerSupply ●	IRF International Rectifier	IRF
IXFH9N65	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
MTN9N65BFP	文件：527.23 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTN9N65CFP	文件：527 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
SIHFB9N65A	文件：329.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?SwitchingVoltageRegulators ?FEATURES ?Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=0.93?(MAX) ?Enhancementmode: Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=0.25mA) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC

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