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AME8810NEGT	文件：180.58 Kbytes Page：12 Pages	600mACMOSLDO	AMEAnalog Microelectronics 安茂安茂微電子股份有限公司	AME
AME8810NEGT	文件：88.85 Kbytes Page：11 Pages	600mACMOSLDO ■GeneralDescription TheAME8805/8813familyofpositive,linearregulatorsfeaturelowquiescentcurrent(30mAtyp.)withlowdropoutvoltage,makingthemidealforbatteryapplications.Thespace-savingSOT-89,SOT-223andSOT-23packagesareattractiveforPocketandHandHeldapplication	AMEAnalog Microelectronics 安茂安茂微電子股份有限公司	AME
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AME8810OEGT	文件：88.85 Kbytes Page：11 Pages	600mACMOSLDO ■GeneralDescription TheAME8805/8813familyofpositive,linearregulatorsfeaturelowquiescentcurrent(30mAtyp.)withlowdropoutvoltage,makingthemidealforbatteryapplications.Thespace-savingSOT-89,SOT-223andSOT-23packagesareattractiveforPocketandHandHeldapplication	AMEAnalog Microelectronics 安茂安茂微電子股份有限公司	AME
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AO8810	文件：221.93 Kbytes Page：5 Pages	20VCommon-DrainDualN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體	AOSMD
AO8810	文件：117.18 Kbytes Page：4 Pages	Common-DrainDualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO8810usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.ItisESDprotected.AO8810Lisofferedinalead-freepackage.St	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體	AOSMD
AO8810	文件：963.39 Kbytes Page：8 Pages	DualN-ChannelMOSFET FEATURES ?Halogen-freeOptionAvailable ?TrenchFET?PowerMOSFETs	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AO8810L	文件：117.18 Kbytes Page：4 Pages	Common-DrainDualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO8810usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.ItisESDprotected.AO8810Lisofferedinalead-freepackage.St	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體	AOSMD
BCL8810KDW	文件：1.21436 Mbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS DESCRIPTION DS(ON) TheBCL8810KDWusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRandlowgatecharge. ItisESDprotected. Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbi-directionalloadswitch,facilitatedbyitscommon-drainconfiguration.	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI

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