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AML1005H3N9STS

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

FEATURES ?TheNESG3033M14isanidealchoiceforlownoise,high-gainamplification NF=0.6dBTYP.@VCE=2V,IC=6mA,f=2.0GHz ?Maximumstablepowergain:MSG=20.5dBTYP.@VCE=2V,IC=15mA,f=2.0GHz ?SiGeHBTtechnology(UHS3)adopted:fmax=110GHz ?Thisproduct

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    AML1005H3N9ST

  • 制造商：

    RENESAS

  • 制造商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述：

    NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
24+
5000
詢價(jià)
FDK
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0402L
9868
專做原裝正品,假一罰百!
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原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道。可提供大量庫(kù)存,詳
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ROHS
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明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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只做進(jìn)口原裝正品!現(xiàn)貨或者訂貨一周貨期!只要要網(wǎng)上有
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一級(jí)代理/全新原裝現(xiàn)貨/長(zhǎng)期供應(yīng)!
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原裝新貨/價(jià)格漂亮/長(zhǎng)期大量供應(yīng)
 詢價(jià)
更多AML1005H3N9ST供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-26 16:30:00

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