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AO4627中文資料萬國半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AO4627
廠商型號(hào)

AO4627

功能描述

30V Complementary MOSFET

文件大小

569.51 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Alpha & Omega Semiconductors
企業(yè)簡稱

AOSMD萬國半導(dǎo)體

中文名稱

美國萬國半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-26 18:46:00

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AO4627規(guī)格書詳情

General Description

The AO4627 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This complementary N and P channel MOSFET configuration is ideal for low Input Voltage inverter applications.

Product Summary

N-Channel P-Channel

VDS= 30V -30V

ID= 4.5A (VGS=10V) -3.5A (VGS=-10V)

RDS(ON) RDS(ON)

< 50m? (VGS=10V) < 100m? (VGS=-10V)

100 UIS Tested 100 UIS Tested

100 Rg Tested 100 Rg Tested

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    AO4627

  • 功能描述:

    MOSFET N/P-CH 30V 4.5/3.5A 8SOIC

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列:

    -

  • 產(chǎn)品目錄繪圖:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 個(gè) N 溝道(雙) FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝:

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
AOS/萬代
22+
SO8
25000
AOS/萬代全系列在售
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1413+
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395
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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2020+
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33000
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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高品質(zhì)替代,技術(shù)支持,參數(shù)選型
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