AO4627中文資料萬國(guó)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
AO4627 |
功能描述 | 30V Complementary MOSFET |
文件大小 |
569.51 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
9 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Alpha & Omega Semiconductors |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
AOSMD【萬國(guó)半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 美國(guó)萬國(guó)半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-5-15 20:00:00 |
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AO4627規(guī)格書詳情
General Description
The AO4627 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This complementary N and P channel MOSFET configuration is ideal for low Input Voltage inverter applications.
Product Summary
N-Channel P-Channel
VDS= 30V -30V
ID= 4.5A (VGS=10V) -3.5A (VGS=-10V)
RDS(ON) RDS(ON)
< 50m? (VGS=10V) < 100m? (VGS=-10V)
100 UIS Tested 100 UIS Tested
100 Rg Tested 100 Rg Tested
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
AO4627
- 功能描述:
MOSFET N/P-CH 30V 4.5/3.5A 8SOIC
- RoHS:
是
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
- 系列:
-
- 產(chǎn)品目錄繪圖:
8-SOIC Mosfet Package
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1
- 系列:
- FET
- 型:
2 個(gè) N 溝道(雙) FET
- 特點(diǎn):
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)(最大):
3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
- 功率 -
- 最大:
1.4W
- 安裝類型:
表面貼裝
- 封裝/外殼:
PowerPAK? SO-8
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
PowerPAK? SO-8
- 包裝:
Digi-Reel®
- 產(chǎn)品目錄頁面:
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名稱:
SI7948DP-T1-GE3DKR
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS/萬代 |
25+ |
SO-8 |
54558 |
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Alpha & Omega Semiconductor In |
24+ |
8-SOIC(0.154,3.90mm 寬) |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
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AOS/萬代 |
22+ |
SO8 |
25000 |
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