AOB418中文資料萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
AOB418 |
| 功能描述 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 文件大小 |
113.83 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
5 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Alpha & Omega Semiconductors |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
AOSMD【萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱(chēng) | 美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-12 16:45:00 |
| 人工找貨 | AOB418價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
AOB418規(guī)格書(shū)詳情
General Description
The AOB418 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate chargeand low gate resistance. This device is ideally suited for use as a high side switch in CPU core power conversion. Standard Product AOB418 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AOB418L is a Green Product ordering option. AOv and AOB418L are electrically identical.
Features
VDS (V) = 30V
ID = 110A (VGS = 10V)
RDS(ON) < 6m? (VGS = 10V)
RDS(ON)
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
AOB418
- 功能描述：
MOSFET N-CH 100V 105A D2PAK
- RoHS：
是
- 類(lèi)別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
SDMOS™
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類(lèi)型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS |
24+ |
TO263 |
65300 |
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