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AOB418

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

GeneralDescription TheAOB418usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.ThisdeviceisideallysuitedforuseasahighsideswitchinCPUcorepowerconversion.StandardProductAOB418isPb-free(meetsROHS&Sony259specificatio

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體

AOB4184

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

GeneralDescription TheAOB4184/LusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.WiththeexcellentthermalresistanceoftheD2PAKpackage,thisdeviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications.AOB4184andAOB4184Lareelectricallyidentica

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體

AOB4184

N-Channel 40 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?ThunderFET?powerMOSFET ?Maximum175°Cjunctiontemperature ?100RgandUIStested ?Materialcategorization:? fordefinitionsofcompliancepleasesee

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

AOB4184

isc N-Channel MOSFET Transistor

?DESCRITION ?Besuitableforsynchronousrectificationforserverand generalpurposeapplications ?FEATURES ?DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=40V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=10.5mΩ(Max) ?100avalanchetested ?Minimum

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

AOB4184L

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

GeneralDescription TheAOB4184/LusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.WiththeexcellentthermalresistanceoftheD2PAKpackage,thisdeviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications.AOB4184andAOB4184Lareelectricallyidentica

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體

AOB418L

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

GeneralDescription TheAOB418usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.ThisdeviceisideallysuitedforuseasahighsideswitchinCPUcorepowerconversion.StandardProductAOB418isPb-free(meetsROHS&Sony259specificatio

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體

AOB418L

isc N-Channel MOSFET Transistor

?DESCRITION ?Besuitableforsynchronousrectificationforserverand generalpurposeapplications ?FEATURES ?DrainCurrent–ID=105A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=9.7mΩ(Max) ?100avalanchetested ?Minimu

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

AOB418L

100V N-Channel MOSFET

GeneralDescription TheAOB418usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.ThisdeviceisideallysuitedforuseasahighsideswitchinCPUcorepowerconversion.StandardProductAOB418isPb-free(meetsROHS&Sony259specificatio

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體

AOD418

30VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheAOD418/AOI418usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.WiththeexcellentthermalresistanceoftheDPAK/IPAKpackage,thisdeviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications. ProductSummary V

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體

AOD418

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    AOB418

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 100V 105A D2PAK

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    SDMOS™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
AOS/萬代
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百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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全新原裝現(xiàn)貨熱賣/代理品牌/可申請樣品和規(guī)格書
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