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AOB4184中文資料萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

AOB4184
廠商型號(hào)

AOB4184

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

143.06 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Alpha & Omega Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

AOSMD萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體

中文名稱

美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-2 15:22:00

AOB4184規(guī)格書詳情

General Description

The AOB4184/L uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. With the excellent thermal resistance of the D2PAK package, this device is well suited for high current load applications. AOB4184 and AOB4184L are electrically identical.

-RoHS Compliant

-AOB4184L is Halogen Free

Features

VDS (V) =40V

ID = 30 A (V GS = 10V)

RDS(ON) < 10.5 m? (VGS = 10V)

RDS(ON)

100 UIS Tested!

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    AOB4184

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 40V 12A TO263

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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