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AOD4128

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

GeneralDescription TheAOD4128usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.ThisdeviceisideallysuitedforuseasalowsideswitchinCPUcorepowerconversion.ThedevicecanalsobeusedinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeap

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體

AOD4128

Marking：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES ?DrainCurrent–ID=60A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=25V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.0mΩ(Max) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lot

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

AOD4128

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體

AOD4128_08

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體

AOI4128

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

AOI4128

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=35mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ASSR-4128

FormA,SolidStateRelay(PhotoMOSFET)

BOARDCOMBroadcom Corporation.

博通公司博通半導(dǎo)體

ASSR-4128

FormA,SolidStateRelay(PhotoMOSFET)(400V/0.10A/35)

AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED

安華高

AT4128

StandardSizePushbuttons

GeneralSpecifications ElectricalCapacity(ResistiveLoad) PowerLevel(silver):3A@125VACor3A@250VACor3A@30VDC LogicLevel(gold):0.4VAmaximum@28VAC/DCmaximum (ApplicableRange0.1mA~0.1A@20mV~28V) Note:FindadditionalexplanationofoperatingrangeinSupplements

NKKNihon Kaiheiki Industry Co. Ltd.

恩楷楷恩楷楷(上海)開關(guān)有限公司

BH4128

SecondMixerIFfordigitalcellularphones

TheBH4128FVisanICequippedwithinternalsecondmixerandIFamplifiercircuits,developedforusewithdigitalcellularphones. Features 1)Equippedwithinternalmixer,IF,andRSSIcircuits. 2)Canbeoperatedatmixerinputfrequenciesrangingfrom10MHzto200MHz. 3)IFamplifiergain

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    AOD4128

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 25V 60A TO252

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多AOD4128供應(yīng)商 更新時間2025-3-3 12:43:00

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