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AOD417

isc P-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES ?DrainCurrent–ID=-25A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=-30V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=34mΩ(Max) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lo

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

AOD417

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested APPLICATIONS ?LoadSwitch ?BatterySwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

AOD417

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

GeneralDescription TheAOD417usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.WiththeexcellentthermalresistanceoftheDPAKpackage,thisdeviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications. Features VDS(V)=-30V

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導體美國萬國半導體

AOD417

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導體美國萬國半導體

AOD417_08

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導體美國萬國半導體

AOI417

P-Channel40V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

AOI417

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=-55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=-40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=10mΩ(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

AOU417

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheAOU417usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardproductAOU417isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOU417LisaGreenProductorde

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導體美國萬國半導體

AOU417

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested APPLICATIONS ?LoadSwitch ?BatterySwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

AOU417

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=-18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=-30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=22mΩ(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

AOU417L

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheAOU417usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardproductAOU417isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOU417LisaGreenProductorde

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導體美國萬國半導體

ATTINY417

AVR?MicrocontrollerwithCoreIndependentPeripheralsandpicoPower?Technology

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

BB417

UHFvariablecapacitancediode

DESCRIPTION TheBB417isavariablecapacitancediode,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedinthehermeticallysealedleadedglassSOD68(DO-34)package. FEATURES ?Excellentlinearity ?HermeticallysealedleadedglassSOD68(DO-34)package ?C15:3pF;ratio:3.5. APPLICATION

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BF417

NPNSILICONTRANSISTOR,EPITAXIALPLANAR

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

BUH417

SEMICONDUCTORS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

BUH417D

SiliconNPNPowerTransistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

BUH417D

SiliconNPNPowerTransistors

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

BUH417D

SiliconNPNPowerTransistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

CLC417

DualLow-Power,ProgrammableGainBuffer

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導體美國國家半導體公司

CLC417AJE

DualLow-Power,ProgrammableGainBuffer

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導體美國國家半導體公司

詳細參數

  • 型號：

    AOD417

  • 功能描述：

    MOSFET P-CH -30V -25A TO-252

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多AOD417供應商 更新時間2024-12-22 10:00:00

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