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AOD417中文資料萬國半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AOD417
廠商型號

AOD417
功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
文件大小

118.05 Kbytes
頁面數(shù)量

5 頁
生產(chǎn)廠商 Alpha & Omega Semiconductors
企業(yè)簡稱

AOSMD【萬國半導(dǎo)體】

中文名稱

美國萬國半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-15 23:00:00
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AOD417規(guī)格書詳情

General Description

The AOD417 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate resistance. With the excellent thermal resistance of the DPAK package, this device is well suited for high current load applications.

Features

VDS (V) = -30V

ID = -25A (VGS = -10V)

RDS(ON) < 34m? (VGS = -10V)

RDS(ON) < 55m? (VGS = -4.5V)

100 UIS Tested!

100 Rg Tested!

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    AOD417

  • 功能描述：

    MOSFET P-CH -30V -25A TO-252

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
AOS
24+
TO-252
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原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道。可簽保供合同
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