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AOD4S60	文件：310.37 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES ?DrainCurrent–ID=4A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.9Ω(Max) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lot	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
AOD4S60	文件：457.25 Kbytes Page：7 Pages	600V 4A a MOS Power Transistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體	AOSMD
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AOT4S60	文件：1.10659 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS ?Serverandtelecompowersupplies ?Switchmodepowersupplies(SMPS) ?Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
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AOW4S60	文件：344.51 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES ?DrainCurrent–ID=4A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.9Ω(Max) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lot	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
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AOWF4S60	文件：290.38 Kbytes Page：6 Pages	600V4AaMOSTMPowerTransistor GeneralDescription TheAOW4S60&AOWF4S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchecapabilitythes	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體	AOSMD
SMA4S60AH	文件：333.03 Kbytes Page：6 Pages	400W,12V??60VSurfaceMountTransientVoltageSuppressor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司	TSC
T4S60	文件：1.10848 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI

詳細參數(shù)

型號：
AOD4S60
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
RoHS：
是
類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
aMOS™
標準包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多AOD4S60供應(yīng)商更新時間2025-1-18 16:36:00

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