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AOI452	文件：959.9 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ?Halogen-free ?TrenchFET?GenIIIPowerMOSFET ?100RgTested ?100UISTested APPLICATIONS ?DC/DCConversion -SystemPower	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AOI452	文件：479.77 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAOI452usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOI452isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications). Fea	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AOI452	文件：329.86 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8.7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
AOI452A	文件：959.91 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ?Halogen-free ?TrenchFET?GenIIIPowerMOSFET ?100RgTested ?100UISTested APPLICATIONS ?DC/DCConversion -SystemPower	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AOI452A	文件：297.41 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel SDMOSTM Power Transistor GeneralDescription TheAOI452AisfabricatedwithSDMOSTMtrenchtechnologythatcombinesexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Theresultisoutstandingefficiencywithcontrolledswitchingbehavior.ThisuniversaltechnologyiswellsuitedforPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplicati	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AOI452A	文件：329.36 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7.3mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
AOU452	文件：74.19 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOU452usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOU452isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOU4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AOU452	文件：352.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=9mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
AOU452A	文件：959.91 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-free ?TrenchFET?GenIIIPowerMOSFET ?100RgTested ?100UISTested APPLICATIONS ?DC/DCConversion -SystemPower	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AOU452L	文件：74.19 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOU452usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOU452isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOU4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
BD452N	文件：233.6 Kbytes Page：2 Pages	45AMPBLOCKDIODES	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SHUNYE
BD452P	文件：233.6 Kbytes Page：2 Pages	45AMPBLOCKDIODES	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SHUNYE
BSP452	文件：69.79 Kbytes Page：8 Pages	MiniPROFET(High-sideswitchShort-circuitprotectionInputprotectionOvertemperatureprotectionwithhysteresis)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BSP452	文件：919.53 Kbytes Page：8 Pages	MiniPROFET(N-channelverticalpowerFETwithchargepump) GeneralDescription NchannelverticalpowerFETwithchargepump,groundreferencedCMOScompatibleinput,monolithicallyintegratedinSmartSIPMOS?technology.Fullyprotectedbyembeddedprotectionfunctions. ?High-sideswitch ?Short-circuitprotection ?Inputprotection ?Overtemperatu	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BSP452	文件：189.19 Kbytes Page：10 Pages	SmartHigh-SidePowerSwitch	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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BTS452R	文件：926.79 Kbytes Page：19 Pages	SmartHigh-SidePowerSwitch	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BTS452T	文件：306.74 Kbytes Page：16 Pages	SmartPowerHigh-Side-Switch	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BTS452T	文件：282.66 Kbytes Page：18 Pages	SmartPowerHigh-Side-Switch	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
CH452	文件：342.31 Kbytes Page：23 Pages	DIgItalDriveandKeyboardControlledChip	WCHNanjing Qinheng Microelectronics Co., Ltd. 南京沁恒江蘇沁恒股份有限公司	WCH

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