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HLDD50P04

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

HLDD50P04

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD

匯利達廣東匯利達半導體有限公司

LMAK50P04

-40VP-ChannelEnhancementModeMOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

MCU50P04

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

ME50P04

P-Channel40V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

NP50P04KDG

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP50P04KDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=10mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?25A) RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=?4.5V,ID=?25A) ?Lowinputcapacitance Ci

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NP50P04KDG

ProductScoutAutomotive

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP50P04SDG

P-Channel40V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

NP50P04SDG

ProductScoutAutomotive

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP50P04SLG

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP50P04SLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance ?RDS(on)1=9.6mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?25A) ?RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=?4.5V,ID=?25A) ?Lowinputcapacitance

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多AP50P04NF供應商 更新時間2025-2-15 11:06:00

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