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AP9922GEO-HF	文件：102.28 Kbytes Page：4 Pages	Capable of 1.8V Gate Drive, Optimal DC/DC Battery Application	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP9922GEO-HF_14	文件：102.28 Kbytes Page：4 Pages	Optimal DC/DC Battery Application	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP9922GEO-HF_16	文件：63.29 Kbytes Page：5 Pages	Optimal DC/DC Battery Application	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
APM9922K	文件：217.15 Kbytes Page：10 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ?20V/6A, RDS(ON)=28mW(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=34mW(typ.)@VGS=2.5V ?SuperHighDenseCellDesign ?ReliableandRugged ?LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications ?PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂達電子茂達電子股份有限公司	ANPEC
APM9922KC-TR	文件：217.15 Kbytes Page：10 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ?20V/6A, RDS(ON)=28mW(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=34mW(typ.)@VGS=2.5V ?SuperHighDenseCellDesign ?ReliableandRugged ?LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications ?PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂達電子茂達電子股份有限公司	ANPEC
APM9922KC-TRL	文件：217.15 Kbytes Page：10 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ?20V/6A, RDS(ON)=28mW(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=34mW(typ.)@VGS=2.5V ?SuperHighDenseCellDesign ?ReliableandRugged ?LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications ?PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂達電子茂達電子股份有限公司	ANPEC
APM9922KC-TU	文件：217.15 Kbytes Page：10 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ?20V/6A, RDS(ON)=28mW(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=34mW(typ.)@VGS=2.5V ?SuperHighDenseCellDesign ?ReliableandRugged ?LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications ?PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂達電子茂達電子股份有限公司	ANPEC
APM9922KC-TUL	文件：217.15 Kbytes Page：10 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ?20V/6A, RDS(ON)=28mW(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=34mW(typ.)@VGS=2.5V ?SuperHighDenseCellDesign ?ReliableandRugged ?LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications ?PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂達電子茂達電子股份有限公司	ANPEC
DMBT9922	文件：52.38 Kbytes Page：1 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching ?HighCurrentGain ?ComplementtoDMBT9022	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMDT9922	文件：60.76 Kbytes Page：2 Pages	PNPDUAL,MATCHEDPAIRSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?LowNoise ?HighCurrentGain ?MatchedPairofTransistors	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FC9922	文件：750.84 Kbytes Page：8 Pages	3-PinSwitch-ModeLEDLampDriverIC	FS First Silicon Co., Ltd	FS
GC9922	文件：215.66 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierDiodesTMForMixersandDetectors DESCRIPTION SchottkyBarrierdevicesarecurrentlyavailableinsinglebeamlead,dual“T”,ringquadandbridgequadconfigurations.Devicesareavailableinmonolithicformforhybridapplicationsaswellasinhermeticornon-hermeticpackages.Monolithicdevicesarerecommendedforhighestfre	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
GSS9922E	文件：263.21 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
GTC9922E	文件：276.54 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
GTS9922E	文件：274.26 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheGTS9922Eprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,ultralowon-resistanceandcost-effectiveness. Features Lowon-resistance Capableof2.5Vgatedrive OptimalDC/DCbatteryapplication Surfacemountpackage	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
HEDS-9922EVB	文件：2.04023 Mbytes Page：25 Pages	10-Bitto18-BitProgrammableAngularMagneticEncoderICforOn-andOff-AxisApplications Description TheBroadcom?AEAT-9922isanangularmagneticrotary sensorthatprovidesaccurateangularmeasurementovera full360degreesofrotation. ItisasophisticatedsystemthatusesintegratedHallsensor elementswithcomplexanaloganddigitalsignalprocessing withinasinglede	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半導體	BOARDCOM
HEDS-9922PRGEVB	文件：2.04023 Mbytes Page：25 Pages	10-Bitto18-BitProgrammableAngularMagneticEncoderICforOn-andOff-AxisApplications Description TheBroadcom?AEAT-9922isanangularmagneticrotary sensorthatprovidesaccurateangularmeasurementovera full360degreesofrotation. ItisasophisticatedsystemthatusesintegratedHallsensor elementswithcomplexanaloganddigitalsignalprocessing withinasinglede	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半導體	BOARDCOM
HM9922	文件：494.67 Kbytes Page：7 Pages	Switchingstep-downLEDconstantcurrentdriver	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司	HMSEMI
HM9922PR	文件：483.7 Kbytes Page：6 Pages	High-VoltageLEDDRriverwithBuild-InMOSFETSwitch	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司	HMSEMI
HM9922T	文件：483.7 Kbytes Page：6 Pages	High-VoltageLEDDRriverwithBuild-InMOSFETSwitch	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司	HMSEMI

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更多AP9922GEO供應(yīng)商更新時間2025-1-9 9:00:00

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