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AP9997GH-HF	文件：1.23859 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
AP9997GH-HF	文件：1.01075 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AP9997GH-HF	文件：102.95 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description AP9997seriesarefromAdvancedPowerinnovateddesignandsiliconprocesstechnologytoachievethelowestpossibleon-resistanceandfastswitchingperformance.Itprovidesthedesignerwithanextremeefficientdeviceforuseinawiderangeofpowerapplications. TheTO-252packa	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP9997GH-HF	文件：105.93 Kbytes Page：5 Pages	SimpleDriveRequirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP9997GJ-HF	文件：105.93 Kbytes Page：5 Pages	SimpleDriveRequirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP9997GJ-HF	文件：102.94 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description AP9997seriesarefromAdvancedPowerinnovateddesignandsiliconprocesstechnologytoachievethelowestpossibleon-resistanceandfastswitchingperformance.Itprovidesthedesignerwithanextremeefficientdeviceforuseinawiderangeofpowerapplications. TheTO-252packa	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP9997GJ-HF	文件：618.98 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
AP9997GK	文件：100.16 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsufacemountapplication,largerheatsinkthanSO-8andSOTpackage. ▼SimpleDriveRequirement ▼Lo	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP9997GK	文件：977.71 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AP9997GM	文件：188.43 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,ultralowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSO-8packageiswidelypreferredforcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowv	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER

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