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APM2321	文件：155.14 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features ?-20V/-0.9A,RDS(ON)=370m?(typ.)@VGS=-4.5VRDS(ON)=560m?(typ.)@VGS=-2.5V ?SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) ?ReliableandRugged ?SOT-23Package Applications ?PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems.	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂達(dá)電子茂達(dá)電子股份有限公司	ANPEC
APM2321A	文件：155.14 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features ?-20V/-0.9A,RDS(ON)=370m?(typ.)@VGS=-4.5VRDS(ON)=560m?(typ.)@VGS=-2.5V ?SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) ?ReliableandRugged ?SOT-23Package Applications ?PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems.	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂達(dá)電子茂達(dá)電子股份有限公司	ANPEC
APM2321AC-TR	文件：155.14 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features ?-20V/-0.9A,RDS(ON)=370m?(typ.)@VGS=-4.5VRDS(ON)=560m?(typ.)@VGS=-2.5V ?SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) ?ReliableandRugged ?SOT-23Package Applications ?PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems.	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂達(dá)電子茂達(dá)電子股份有限公司	ANPEC
APM2321AAC-TRL	文件：1.04025 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
APM2321AC	文件：1.04013 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
B2321	文件：1.77947 Mbytes Page：24 Pages	DesolderingTool InstructionManual ? ThankyouforpurchasingtheHAKKO475desolderingtool.PleasereadthismanualbeforeoperatingtheHAKKO475.Keepthismanualreadilyaccessibleforreference.	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
BC2321	文件：761.1 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS APPLICATION PASwitch LoadSwitch FEATURE TrenchFETPowerMOSFET	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
BR2321W	文件：1.02063 Mbytes Page：7 Pages	P-ChannelMOSFETinaSOT-323PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
CEH2321	文件：131.14 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-20V,-4.8A,RDS(ON)=55mΩ@VGS=-4.5V. RDS(ON)=62mΩ@VGS=-2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■TSOP-6package. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEH2321	文件：411.83 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -20V,-4.8A,RDS(ON)=55mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=62mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. TSOP-6package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEH2321A	文件：417.57 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-20V,-4.8A,RDS(ON)=55mΩ@VGS=-4.5V. RDS(ON)=75mΩ@VGS=-2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■TSOP-6package. ■Lead-freeplating;RoHScompliant.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEH2321A	文件：679.22 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -20V,-4.8A,RDS(ON)=55mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=75mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. TSOP-6package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEN2321A	文件：622.72 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -20V,-3.7A,RDS(ON)=60mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=80mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEN2321B	文件：431.12 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -20V,-3.9A,RDS(ON)=52mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=72mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CES2321	文件：108.64 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-20V,-3.8A,RDS(ON)=55m?@VGS=-4.5V. RDS(ON)=80m?@VGS=-2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CES2321	文件：1.04091 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?LoadSwitch ?PASwitch ?DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
CES2321	文件：364.85 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -20V,-3.8A,RDS(ON)=55mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=62mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CES2321A	文件：371.03 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-20V,-3.8A,RDS(ON)=55mΩ@VGS=-4.5V. RDS(ON)=75mΩ@VGS=-2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■SOT-23package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CES2321A	文件：620.99 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -20V,-3.8A,RDS(ON)=55mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=75mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CES2321B	文件：438.71 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -20V,-3.9A,RDS(ON)=52mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=72mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
APM2321
制造商：
ANPEC
制造商全稱：
Anpec Electronics Coropration
功能描述：
P-Channel Enhancement Mode MOSFET

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市特萊科技有限公司	APM2321	MSV/萌盛微	24+23+	SOT23	12580	16年現(xiàn)貨庫存供應(yīng)商終端BOM表可配單提供樣品	詢價
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深圳誠思涵科技有限公司	APM2321AAC-TRG	ANPEC	19+	SOT-23	200000		詢價

更多APM2321供應(yīng)商更新時間2024-11-19 17:05:00

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