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APT100GN120B2G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
APT100GN120B2G |
| 參數(shù)屬性 | APT100GN120B2G 封裝/外殼為TO-247-3 變式；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 245A 960W TMAX |
| 功能描述 | Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs |
| 封裝外殼 | TO-247-3 變式 |
| 文件大小 |
9.86083 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
44 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Microsemi【美高森美】 |
| 中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-8 10:18:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
APT100GN120B2G
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，100A
- 開(kāi)關(guān)能量：
11mJ（開(kāi)），9.5mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：
50ns/615ns
- 測(cè)試條件：
800V，100A，1 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3 變式
- 描述：
IGBT 1200V 245A 960W TMAX
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microsemi |
1942+ |
N/A |
98 |
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詢價(jià) | ||
APT |
23+24 |
TO-247 |
29840 |
主營(yíng)MOS管,二極.三極管,肖特基二極管.功率三極管 |
詢價(jià) | ||
APT |
22+ |
TO-247 |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價(jià) | ||
APT |
23+ |
TO-247 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
Microchip Technology |
24+ |
TO-247-3 變式 |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
58000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
microchip |
23+ |
15421 |
原包裝原標(biāo)現(xiàn)貨,假一罰十, |
詢價(jià) | |||
APT |
22+23+ |
TO-247 |
28797 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
APT |
1030+ |
TO-247 |
4 |
詢價(jià) | |||
Microchip |
23+ |
20000 |
全新、原裝、現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
