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APT10M11B2VFR

High Voltage N-Channel enhancement mode power MOSFET

ADPOW

Advanced Power Technology

APT10M11B2VR

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=11mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

APT10M11B2VR

PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.

PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?FasterSwitching

ADPOW

Advanced Power Technology

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    APT10M11B2VFR

  • 制造商：

    ADPOW

  • 制造商全稱：

    Advanced Power Technology

  • 功能描述：

    High Voltage N-Channel enhancement mode power MOSFET

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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TO-247-3 變式
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全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價(jià)
更多APT10M11B2VFR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-4 19:56:00

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