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APT10M11B2VFR

High Voltage N-Channel enhancement mode power MOSFET

ADPOW

Advanced Power Technology

APT10M11B2VR

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=11mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

APT10M11B2VR

PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.

PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?FasterSwitching

ADPOW

Advanced Power Technology

詳細參數(shù)

  • 型號：

    APT10M11B2VFR

  • 制造商：

    ADPOW

  • 制造商全稱：

    Advanced Power Technology

  • 功能描述：

    High Voltage N-Channel enhancement mode power MOSFET

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
APT
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TO2473 Variant
9000
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Microsemi Corporation
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TO2473 Variant
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公司只售原裝,支持實單
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更多APT10M11B2VFR供應商 更新時間2024-12-29 10:31:00

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