APT10M19BVFR中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號(hào)	APT10M19BVFR
功能描述	isc N-Channel MOSFET Transistor
文件大小	372.04 Kbytes
頁面數(shù)量	2 頁
生產(chǎn)廠商	Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱	ISC【無錫固電】
中文名稱	無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間	2025-2-2 21:00:00

FEATURES

·Drain Current –ID= 75A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage-

: VDSS= 100V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 19mΩ(Max)@VGS= 10V

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

DESCRIPTION

·motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

型號(hào)：
APT10M19BVFR
制造商：
ADPOW
制造商全稱：
Advanced Power Technology
功能描述：
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

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