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APT150GN60B2G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
APT150GN60B2G |
| 參數(shù)屬性 | APT150GN60B2G 封裝/外殼為TO-247-3 變式；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 220A 536W SOT227 |
| 功能描述 | Thunderbolt IGBT |
| 封裝外殼 | TO-247-3 變式 |
| 文件大小 |
178.2 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
Microsemi【美高森美】 |
| 中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-13 8:30:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
APT150GN60B2G
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
托盤
- IGBT 類型：
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.85V @ 15V，150A
- 開關(guān)能量：
8.81mJ（開），4.295mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
44ns/430ns
- 測試條件：
400V，150A，1 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3 變式
- 描述：
IGBT 600V 220A 536W SOT227
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
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