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APT150GN60B2G

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWERMOS7?MOSFET PowerMOS7?isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7?bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7?combineslowerconductionandswitchinglossesalon

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT150GN60B2G

Thunderbolt IGBT

MicrosemiMicrosemi Corporation

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APT150GN60B2G

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

MicrosemiMicrosemi Corporation

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APT150GN60B2G

Power Semiconductors Power Modules

MicrosemiMicrosemi Corporation

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APT150GN60B2G

包裝:托盤 封裝/外殼:TO-247-3 變式 類別:分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 220A 536W SOT227

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

APT150GN60B2

ThunderboltIGBT

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

產品屬性

  • 產品編號:

    APT150GN60B2G

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    托盤

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.85V @ 15V,150A

  • 開關能量:

    8.81mJ(開),4.295mJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    44ns/430ns

  • 測試條件:

    400V,150A,1 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3 變式

  • 描述:

    IGBT 600V 220A 536W SOT227

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Microsemi
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更多APT150GN60B2G供應商 更新時間2025-1-14 9:43:00