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APT20GF120BRDQ1G

FAST IGBT & FRED

TheFastIGBTisanewgenerationofhighvoltagepowerIGBTs.UsingNon-Punchthroughtechnology,theFastIGBTcombinedwithanAPTfreewheelingUltraFastRecoveryEpitaxialDiode(FRED)offerssuperiorruggednessandfastswitchingspeed. ?LowForwardVoltageDrop ?HighFreq.Switchingto

ADPOW

Advanced Power Technology

APT20GF120BRDQ1G

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 36A 200W TO247

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT20GF120BRDQ1

FASTIGBT&FRED

TheFastIGBTisanewgenerationofhighvoltagepowerIGBTs.UsingNon-Punchthroughtechnology,theFastIGBTcombinedwithanAPTfreewheelingUltraFastRecoveryEpitaxialDiode(FRED)offerssuperiorruggednessandfastswitchingspeed. ?LowForwardVoltageDrop ?HighFreq.Switchingto

ADPOW

Advanced Power Technology

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    APT20GF120BRDQ1G

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    3.2V @ 15V，15A

  • 開關(guān)能量：

    895μJ（開），840μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    10ns/120ns

  • 測試條件：

    800V，15A，4.3 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247 [B]

  • 描述：

    IGBT 1200V 36A 200W TO247

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多APT20GF120BRDQ1G供應(yīng)商 更新時間2025-2-26 16:10:00

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