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APT20GN60BG

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWERMOS7?MOSFET PowerMOS7?isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7?bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7?combineslowerconductionandswitchinglossesalon

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Advanced Power Technology

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Thunderbolt High Speed NPT IGBT

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Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

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Power Semiconductors Power Modules

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APT20GN60BG

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 40A 136W TO247

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

APT20GN60B

ThunderboltHighSpeedNPTIGBT

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Advanced Power Technology

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    APT20GN60BG

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.9V @ 15V，20A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    230μJ（開(kāi)），580μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    9ns/140ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，20A，4.3 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247 [B]

  • 描述：

    IGBT 600V 40A 136W TO247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多APT20GN60BG供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-25 16:10:00

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