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APT30GN60BDQ2G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 MICROSEMI/美高森美

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  • 廠家型號(hào)：

    APT30GN60BDQ2G

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    MICROSEMI

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    10000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-247

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-18 13:30:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：APT30GN60BDQ2G品牌：MICROSEMI

原裝正品現(xiàn)貨

  • 芯片型號(hào)：

    APT30GN60BDQ2G

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    MICROSEMI【美高森美】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    Microsemi Corporation

  • 中文名稱(chēng)：

    美高森美公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    9 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    159.31 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Resonant Mode Combi IGBT

產(chǎn)品參考屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    APT30GN60BDQ2G

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類(lèi)型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.9V @ 15V，30A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    525μJ（開(kāi)），700μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    12ns/155ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，30A，4.3 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247 [B]

  • 描述：

    IGBT 600V 63A 203W TO247

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市宏興瑞科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱小姐

  • 手機(jī)：

    18923720076

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23946805

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)205棟3樓A05

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