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APT30GS60KR分立半導體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
APT30GS60KR |
參數(shù)屬性 | APT30GS60KR 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 54A 250W TO220 |
功能描述 | Thunderbolt High Speed NPT IGBT |
文件大小 |
590.48 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
7 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
企業(yè)簡稱 |
Microsemi【美高森美】 |
中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-11-15 23:00:00 |
APT30GS60KR規(guī)格書詳情
APT30GS60KR屬于分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。美高森美公司制造生產(chǎn)的APT30GS60KR晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
APT30GS60KRG
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
NPT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
3.15V @ 15V,30A
- 開關能量:
570μJ(關)
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關)值:
16ns/360ns
- 測試條件:
400V,30A,9.1 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應商器件封裝:
TO-220
- 描述:
IGBT 600V 54A 250W TO220
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
23+ |
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