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APT30GS60KR分立半導體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

APT30GS60KR
廠商型號

APT30GS60KR

參數(shù)屬性

APT30GS60KR 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 54A 250W TO220

功能描述

Thunderbolt High Speed NPT IGBT
IGBT 600V 54A 250W TO220

文件大小

590.48 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-15 23:00:00

APT30GS60KR規(guī)格書詳情

APT30GS60KR屬于分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。美高森美公司制造生產(chǎn)的APT30GS60KR晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    APT30GS60KRG

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    3.15V @ 15V,30A

  • 開關能量:

    570μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    16ns/360ns

  • 測試條件:

    400V,30A,9.1 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    IGBT 600V 54A 250W TO220

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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