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APT34N80B2C3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=34A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.145Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

APT34N80B2C3

SuperJunctionMOSFET

ADPOW

Advanced Power Technology

APT34N80B2C3

SuperJunctionMOSFET

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

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更多APT34N80B2C3X供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-29 16:30:00

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