首頁(yè)>熱銷型號(hào)第148頁(yè)>APT35GN120L2DQ2G>詳情

APT35GN120L2DQ2G_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-微芯科技

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原廠料號(hào)：APT35GN120L2DQ2G品牌：Microchip Technology

資料說(shuō)明：IGBT 1200V 94A 379W TO264

APT35GN120L2DQ2G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商MICROCHIP/微芯科技生產(chǎn)封裝TO-264-3，TO-264AA的APT35GN120L2DQ2G晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    apt35gn120l2dq2g

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    MICROCHIP【微芯科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Microchip Technology

  • 中文名稱：

    微芯科技股份有限公司

  • 資料說(shuō)明：

    IGBT 1200V 94A 379W TO264

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    APT35GN120L2DQ2G

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT，溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，35A

  • 開關(guān)能量：

    2.315mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    24ns/300ns

  • 測(cè)試條件：

    800V，35A，2.2 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-264-3，TO-264AA

  • 描述：

    IGBT 1200V 94A 379W TO264

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
MICROSEMI/美高森美
08+
TO264
150
進(jìn)口原裝重裝管有庫(kù)存
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23+
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