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APT35GN120L2DQ2G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 MICROSEMI/美高森美

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  • 廠家型號(hào)：

    APT35GN120L2DQ2G

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    MICROSEMI/美高森美

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    150

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO264

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    08+

  • 庫(kù)存類型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-15 18:11:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：APT35GN120L2DQ2G品牌：MICROSEMI/美高森美

進(jìn)口原裝重裝管有庫(kù)存

  • 芯片型號(hào)：

    APT35GN120L2DQ2G

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    MICROSEMI【美高森美】詳情

  • 廠商全稱：

    Microsemi Corporation

  • 中文名稱：

    美高森美公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    44 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    9860.83 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    APT35GN120L2DQ2G

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT，溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，35A

  • 開關(guān)能量：

    2.315mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    24ns/300ns

  • 測(cè)試條件：

    800V，35A，2.2 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-264-3，TO-264AA

  • 描述：

    IGBT 1200V 94A 379W TO264

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市桐芯微電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    周小姐

  • 手機(jī)：

    13249396781

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    13249396781/ 18573520830

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)華強(qiáng)北路1002號(hào)賽格廣場(chǎng)4705B

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