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APT36GA60BD15分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

APT36GA60BD15
廠商型號

APT36GA60BD15
參數(shù)屬性

APT36GA60BD15 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 65A 290W TO-247
功能描述

IGBT
封裝外殼

TO-247-3
文件大小

319.91 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC【無錫固電】

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-5 23:00:00

APT36GA60BD15規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

· Fast switching with low EMI

· Low conduction loss

· Low gate charge

APPLICATIONS

· Welding

· UPS, solar, and other inverters

· High frequency, high effi ciency industrial

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    APT36GA60BD15

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    POWER MOS 8?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.5V @ 15V，20A

  • 開關(guān)能量：

    307μJ（開），254μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    16ns/122ns

  • 測試條件：

    400V，20A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247 [B]

  • 描述：

    IGBT 600V 65A 290W TO-247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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