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APT45GP120B2DQ2G

POWER MOS 7 IGBT

ADPOW

Advanced Power Technology

APT45GP120B2DQ2G

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT45GP120B2DQ2G

Power Semiconductors Power Modules

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT45GP120B2DQ2G

Package：TO-247-3 變式；包裝：管件 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 113A 625W TMAX

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

APT45GP120B2DQ2

POWERMOS7IGBT

ADPOW

Advanced Power Technology

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    APT45GP120B2DQ2G

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    POWER MOS 7?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類(lèi)型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3.9V @ 15V，45A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    900μJ（開(kāi)），905μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    18ns/100ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，45A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3 變式

  • 描述：

    IGBT 1200V 113A 625W TMAX

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Microsemi
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全新原裝優(yōu)勢(shì)
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NA
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原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
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10000
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更多APT45GP120B2DQ2G供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-2 14:04:00

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