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APT47N65BC3

Super Junction MOSFET

?UltralowRDS(ON) ?IncreasedPowerDissipation ?LowMillerCapacitance ?UltraLowGateCharge,Qg ?AvalancheEnergyRated ?TO-247orSurfaceMountD3PAKPackage

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT47N65BC3

Super Junction MOSFET

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT47N65BC3

Increased Power Dissipation

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT47N65BC3

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

APT47N65BC3G

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=47A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.07Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmod

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

APT47N65BC3G

Increased Power Dissipation

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    APT47N65BC3

  • 制造商:

    MICROSEMI

  • 制造商全稱:

    Microsemi Corporation

  • 功能描述:

    Super Junction MOSFET

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更多APT47N65BC3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-18 13:30:00