APT50GN60BDQ3G_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-微芯科技

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原廠料號(hào):APT50GN60BDQ3G品牌:Microchip Technology

資料說(shuō)明:IGBT FIELDSTOP COMBI 600V 50A TO

APT50GN60BDQ3G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商MICROCHIP/微芯科技生產(chǎn)封裝TO-247-3的APT50GN60BDQ3G晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào):

    apt50gn60bdq3g

  • 規(guī)格書:

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    MICROCHIP【微芯科技】詳情

  • 廠商全稱:

    Microchip Technology

  • 中文名稱:

    微芯科技股份有限公司

  • 資料說(shuō)明:

    IGBT FIELDSTOP COMBI 600V 50A TO

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    APT50GN60BDQ3G

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.85V @ 15V,50A

  • 開關(guān)能量:

    1.185mJ(開),1.565mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    20ns/230ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,50A,4.3 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT FIELDSTOP COMBI 600V 50A TO

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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