首頁(yè)>熱銷型號(hào)第149頁(yè)>FGB3245G2-F085C>詳情

FGB3245G2-F085C_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號(hào)：FGB3245G2-F085C品牌：onsemi

資料說(shuō)明：IGNITION IGBT, 450V, 23A, 1.3V,

FGB3245G2-F085C是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商O(píng)NSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB的FGB3245G2-F085C晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    fgb3245g2-f085c

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說(shuō)明：

    IGNITION IGBT, 450V, 23A, 1.3V,

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    FGB3245G2-F085C

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.25V @ 4V，6A

  • 輸入類型：

    邏輯

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    900ns/5.4μs

  • 測(cè)試條件：

    300V，6.5A，1 千歐，5V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-263（D2Pak）

  • 描述：

    IGNITION IGBT, 450V, 23A, 1.3V,

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
onsemi
24+
表面貼裝型
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獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
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原裝現(xiàn)貨假一賠十
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原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品
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進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),絕對(duì)原裝 假一罰十
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30000
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十
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