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APT68GA60B2D40分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
APT68GA60B2D40 |
| 參數(shù)屬性 | APT68GA60B2D40 封裝/外殼為TO-247-3 變式；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 121A 520W TO-247 |
| 功能描述 | Power Semiconductors Power Modules |
| 文件大小 |
2.83336 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
44 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
Microsemi【美高森美】 |
| 中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-3 22:30:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
APT68GA60B2D40
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
POWER MOS 8?
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
PT
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，40A
- 開關(guān)能量：
715μJ（開），607μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
21ns/133ns
- 測試條件：
400V，40A，4.7 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3 變式
- 描述：
IGBT 600V 121A 520W TO-247
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
2020+ |
TO-220 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
原廠 |
2023+ |
模塊 |
600 |
專營模塊,繼電器,公司原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
APT |
21+ |
TO-220 |
333 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
Microsemi Corporation |
21+ |
13880 |
公司只售原裝,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | |||
Microchip Technology |
24+ |
TO-247-3 變式 |
9350 |
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢價(jià) | ||
Microsemi |
23+ |
MOSFET |
7750 |
全新原裝優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
Microch |
20+ |
NA |
33560 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
APT |
22+ |
原廠原封 |
8200 |
原裝現(xiàn)貨庫存.價(jià)格優(yōu)勢(shì)!! |
詢價(jià) | ||
Microsemi Corporation |
22+ |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | |||
MICROCHIP |
23+ |
7300 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
