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APT68GA60LD40分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

APT68GA60LD40
廠商型號(hào)

APT68GA60LD40

參數(shù)屬性

APT68GA60LD40 封裝/外殼為TO-264-3,TO-264AA;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 121A 520W TO-264

功能描述

High Speed PT IGBT

封裝外殼

TO-264-3,TO-264AA

文件大小

248.15 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-12 16:43:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    APT68GA60LD40

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    POWER MOS 8?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,40A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    715μJ(開(kāi)),607μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    21ns/133ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,40A,4.7 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-264-3,TO-264AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-264 [L]

  • 描述:

    IGBT 600V 121A 520W TO-264

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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