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APTCV60TLM70T3G中文資料美高森美數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

APTCV60TLM70T3G
廠商型號(hào)

APTCV60TLM70T3G
參數(shù)屬性

APTCV60TLM70T3G 封裝/外殼為模塊；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊；產(chǎn)品描述：IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3
功能描述

Three level inverter CoolMOS & Trench Field Stop IGBT Power Module
文件大小

286.86 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Microsemi【美高森美】

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-17 22:59:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    APTCV60TLM70T3G

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    散裝

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 配置：

    三級(jí)反相器

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.9V @ 15V，50A

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻：

    是

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SP3

  • 描述：

    IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3

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