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APTGT35X120T3G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

APTGT35X120T3G
廠商型號

APTGT35X120T3G

參數(shù)屬性

APTGT35X120T3G 封裝/外殼為SP3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP3

功能描述

3 Phase bridge Trench Field Stop IGBT? Power Module

封裝外殼

SP3

文件大小

274.77 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-1 20:57:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    APTGT35X120T3G

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    散裝

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 配置:

    三相反相器

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,35A

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    SP3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SP3

  • 描述:

    IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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