APTGT50DA120D1G 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - IGBT - 模塊 MICROSEMI/美高森美

圖片僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號:APTGT50DA120D1G品牌:Microsemi Corporation

全新原裝正品現(xiàn)貨直銷

APTGT50DA120D1G是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商Microsemi Corporation生產(chǎn)封裝標準封裝/D1的APTGT50DA120D1G晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

  • 芯片型號:

    APTGT50DA120D1G

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡稱:

    MICROSEMI【美高森美】詳情

  • 廠商全稱:

    Microsemi Corporation

  • 中文名稱:

    美高森美公司

  • 資料說明:

    IGBT 1200V 75A 270W D1

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    APTGT50DA120D1G

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    散裝

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 配置:

    單路

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,50A

  • 輸入:

    標準

  • NTC 熱敏電阻:

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    D1

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    D1

  • 描述:

    IGBT MODULE 1200V 75A 270W D1

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    浙江永芯科技有限公司

  • 商鋪:

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    林小姐

  • 手機:

    18758020211

  • 詢價:
  • 電話:

    18758020211

  • 地址:

    中國廣東深圳市深圳市福田區(qū)中航路佳和大廈5C015