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APTGT75DA120T1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
APTGT75DA120T1G |
參數(shù)屬性 | APTGT75DA120T1G 封裝/外殼為SP1;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP1 |
功能描述 | Boost chopper Fast Trench Field Stop IGBT? Power Module |
文件大小 |
283.32 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
5 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
企業(yè)簡稱 |
Microsemi【美高森美】 |
中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-11-18 18:34:00 |
APTGT75DA120T1G規(guī)格書詳情
APTGT75DA120T1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。美高森美公司制造生產(chǎn)的APTGT75DA120T1G晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
APTGT75DA120T1G
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝:
散裝
- IGBT 類型:
溝槽型場截止
- 配置:
單路
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,75A
- 輸入:
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻:
是
- 工作溫度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
底座安裝
- 封裝/外殼:
SP1
- 供應(yīng)商器件封裝:
SP1
- 描述:
IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP1
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
23+ |
75A/1700V/IG |
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