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APTGV75H60T3G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

APTGV75H60T3G
廠商型號

APTGV75H60T3G

參數(shù)屬性

APTGV75H60T3G 封裝/外殼為SP3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MODULE 600V 100A 250W SP3

功能描述

Full - Bridge NPT & Trench Field Stop? IGBT Power module
IGBT MODULE 600V 100A 250W SP3

封裝外殼

SP3

文件大小

377.44 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-25 20:00:00

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APTGV75H60T3G規(guī)格書詳情

APTGV75H60T3G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由美高森美公司制造生產(chǎn)的APTGV75H60T3G晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    APTGV75H60T3G

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    散裝

  • IGBT 類型:

    NPT,溝槽型場截止

  • 配置:

    全橋反相器

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.9V @ 15V,75A

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    SP3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SP3

  • 描述:

    IGBT MODULE 600V 100A 250W SP3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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