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BFG196

NPNSiliconRFTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

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BFP196

NPNSiliconRFTransistor

NPNSiliconRFTransistor* ?Forlownoise,lowdistortionbroadband amplifiersinantennaandtelecommunications systemsupto1.5GHzatcollectorcurrentsfrom 20mAto80mA ?PoweramplifierforDECTandPCNsystems ?fT=7.5GHz,F=1.3dBat900MHz ?Pb-free(RoHScomp

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BFP196

NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,lowdistortionbroadbandamplifiersinantennaandtelecommunications)

?Forlownoise,lowdistortionbroadbandamplifiersinantennaandtelecommunicationssystemsupto1.5GHzatcollectorcurrentsfrom20mAto80mA ?PoweramplifierforDECTandPCNsystems ?fT=7.5GHz F=1.5dBat900MHz

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西門子德國西門子股份公司

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NPNSiliconRFTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFP196

LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor

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BFP196W

NPNSiliconRFTransistor

NPNSiliconRFTransistor* ?Forlownoise,lowdistortionbroadband amplifiersinantennaandtelecommunications systemsupto1.5GHzatcollectorcurrentsfrom 20mAto80mA ?PoweramplifierforDECTandPCNsystems ?fT=7.5GHz,F=1.3dBat900MHz ?Pb-free(RoHScomp

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NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,lowdistortionbroadbandamplifiersinantennaandtelecommunications)

NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,lowdistortionbroadband amplifiersinantennaandtelecommunications systemsupto1.5GHzatcollectorcurrentsfrom 20mAto80mA ?PoweramplifierforDECTandPCNsystems ?fT=7.5GHz F=1.5dBat900MHz

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NPNSiliconRFTransistor

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LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

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BFP196W

iscSiliconNPNRFTransistor

DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP. @VCE=6V,IC=5mA,f=1GHz ?HighGain ︱S21︱2=18dBTYP. @VCE=6V,IC=30mA,f=1GHz ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobust deviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Designedforuseinlownoise

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

詳細參數

  • 型號：

    AS-196

  • 制造商：

    Hozan Tool Industrial Co Ltd

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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DIP-16/25PCS
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32-QFN(5x5)
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QFN16
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更多AS-196供應商 更新時間2025-4-26 8:58:00

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